现在用于GaN基LED灯珠的衬底材料比较多，能用于商品化的衬底有两种，即蓝宝石和碳化硅衬底。其它比方GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离。

氮化镓（GaN）

  用于GaN LED灯珠生长的最理想衬底是GaN单晶材料，可大大前进外延膜的晶体质量，降低位错密度，前进器件作业寿数，前进发光功率，前进器件作业电流密度。但是制备GaN体单晶十分困难，到现在为止还未有行之有效的办法。

蓝宝石（Al2O3）

  用于GaN LED灯珠生长最广泛的衬底是Al2O3。其利益是化学稳定性好，不吸收可见光、价格适中、制作技术相对老到。导热性差虽然在器件小电流作业中没有显露明显缺少，却在功率型器件大电流作业下问题十分出色。

碳化硅（SiC）

  SiC作为衬底材料运用的广泛程度仅次于蓝宝石，现在还没有第三种衬底用于GaN LED灯珠的商业化出产。

  SiC衬底有化学稳定性好、导电功用好、导热功用好、不吸收可见光等，但缺少方面也很出色，如价格太高，晶体质量难以达到Al2O3和Si那么好、机械加工功用比较差，其他，SiC衬底吸收380纳米以下的紫外光，不适宜用来研发380纳米以下的紫外LED。

  由于SiC衬底有利的导电功用和导热功用，可以较好地处理功率型GaN LED灯珠器件的散热问题，故在半导体照明技术范畴占重要方位

  同蓝宝石比较，SiC与GaN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，SiC具有蓝色发光特性，而且为低阻材料，可以制作电极，使器件在包装前对外延膜进行完全检验成为可能，增强了SiC作为衬底材料的竞争力。

  由于SiC的层状结构易于解理，衬底与外延膜之间可以取得高质量的解理面，这将大大简化器件的结构；但是一同由于其层状结构，在衬底的表面常有给外延膜引入许多的缺陷的台阶出现。

氧化锌（ZnO）

  ZnO之所以能成为GaN LED灯珠外延的候选衬底，是由于两者具有十分惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格辨认度十分小，禁带宽度靠近（能带不连续值小，接触势垒小）。但是，ZnO作为GaN外延衬底的丧身缺陷是在GaN LED灯珠外延生长的温度和气氛中易分解和腐蚀。

  现在，ZnO半导体材料尚不能用来制作光电子器件或高温电子器件，主要是材料质量达不到器件水陡峭P型掺杂问题没有得到实在处理，适宜ZnO基半导体材料生长的设备没有研发成功。